Исследователи UCSB создают высокоэффективные синие микро-светодиоды

Одна из критических проблем микро-светодиодов заключается в том, что их световая отдача уменьшается по мере уменьшения их размеров, что приводит к увеличению проблем при проверке и ремонте. Таким образом, разработчики технологий пытаются повысить эффективность Micro LED на этапе производства пластин для эпитаксии. Группа исследователей из UCSB, в том числе лауреат Нобелевской премии Шуджи Накамура, недавно опубликовала статью, в которой описывается метод изготовления высокоэффективных InGaN Micro LED с эпитаксиальными туннельными переходами (TJs Micro LEDs).

Опубликованная в Optics Express статья под названием « Независимое от размера низкое напряжение InGaN-микросветоизлучающих диодов с эпитаксиальными туннельными переходами с использованием селективного роста площади путем осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений., »Продемонстрировали результаты TJs Micro LEDs посредством селективного роста площади (SAG) от MOCVD.

Светодиоды InGaN TJs обеспечивают более высокий КПД и меньший спад КПД. Более того, при производстве MOCVD производство может быть легко расширено для массового производства. Однако рост производства светодиодов TJs может оказаться сложной задачей. Исследовательская группа UCSB использовала выборочный рост площади, чтобы решить текущую проблему TJs Micro LEDs.

Группа использовала стандартные промышленные эпитаксиальные пластины синих светодиодов InGaN, выращенные на узорчатой ​​сапфировой подложке (PSS) с длиной волны излучения около 440 нм для отрастания TJ. Был продемонстрирован график использования SAG для выращивания TJs Micro LED. По сравнению с TJ Micro LED, выращенными без SAG, SAG TJ Micro LED продемонстрировали однородность свечения в различных размерах в 20, 40, 60, 80 и 100 мкм. SAG TJ Micro LED также показал пониженное прямое напряжение с повышенной эффективностью.

Ученые продемонстрировали самое низкое прямое напряжение у микро-светодиодов на основе GaN с эпитаксиальными TJ, выращенными методом MOCVD. Прямое напряжение в TJ µLED, выращенных с помощью SAG, не зависело от размеров и было низким - от 3,24 до 3,31 В при 20 A / см2, демонстрируя значительное улучшение по сравнению с обычными TJ µLED, выращенными с помощью MOCVD. Кроме того, наблюдалось повышение выходной мощности и EQE упакованных устройств. Эти результаты предполагают, что SAG является многообещающей технологией для реализации TJ, выращенного с помощью MOCVD.

Воспользуйтесь возможностью, чтобы узнать больше о передовых технологиях отображения Micro LED и Mini LED, присоединившись к нам на форуме Micro LED 2020 . Эксперты со всего мира продемонстрируют последние технологические инновации и ключевые моменты коммерциализации технологий. Скидка при раннем бронировании доступна уже сейчас!